IMEC ottiene una tensione di rottura GaN da record di oltre 650 V per il substrato QST™ da 300 mm di Shin-Etsu Chemical
Business Wire QSTTM, un substrato di crescita GaN da 300 mm sviluppato da Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (sede: Tokyo; presidente: Yasuhiko Saitoh; d'ora innanzi denominata "Shin-Etsu Chemical"), è stato inserito ne...
TOKYO: QSTTM, un substrato di crescita GaN da 300 mm sviluppato da Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (sede: Tokyo; presidente: Yasuhiko Saitoh; d'ora innanzi denominata "Shin-Etsu Chemical"), è stato inserito nel programma di sviluppo dispositivi di potenza GaN da 300 mm all'IMEC, dove è in corso la valutazione dei campioni; in questo processo di valutazione, il dispositivo HEMT dello spessore di 5 µm basato su un substrato QSTTM ha raggiunto una resistenza di tensione da record, di oltre 650 V, per un substrato da 300 mm.
Shin-Etsu Chemical, su licenza di QROMIS, Inc. (sede: California, USA, CEO: Cem Basceri; d'ora innanzi denominata "QROMIS"), produce substrati QST™ da 150 mm e 200 mm, oltre a substrati epitassiali GaN-on-QST™ di diversi diametri.
Fonte: Business Wire
Rimani sempre aggiornato, seguici su Google News!
Seguici
Notizie correlate
Speciali Tutti gli speciali
Calendario Tutto
Magazine Tutti i numeri
G11 Media Networks
ImpresaCity e' un canale di BitCity, testata giornalistica registrata presso il tribunale di Como ,
n. 21/2007 del
11/10/2007- Iscrizione ROC n. 15698
G11 MEDIA S.R.L.
Sede Legale Via NUOVA VALASSINA, 4 22046 MERONE (CO) - P.IVA/C.F.03062910132
Registro imprese di Como n. 03062910132 - REA n. 293834 CAPITALE SOCIALE Euro 30.000 i.v.
