Ibm e Micron hanno annunciato l'inizio della produzione di un nuovo dispositivo di memoria, costruito utilizzando la prima tecnologia di impiego di Through-Silicon Via (Tsv) per la produzione commerciale di dispositivi Cmgos.
Il processo di fabbricazione dei chip Tsv di Ibm consente all'Hybrid Memory Cube (Hmc) di Micron di raggiungere velocità 15 volte superiori rispetto alla tecnologia attuale.
Ibm presenterà i dettagli della metodologia Tsv in occasione dell'IEEE International Electron Devices Meeting, che si terrà il 5 dicembre a Washington.
Le parti dell'Hmc saranno prodotte presso l'impianto avanzato di Ibm per la fabbricazione di semiconduttori di East Fishkill, New York, con l'impiego della tecnologia di processo high-K metal gate a 32 nm dell'azienda.
Hmc utilizza Tsv avanzati — conduttori verticali che collegano elettricamente una pila di singoli chip – per combinare dispositivi logici ad alte prestazioni con la Dram di Micron. I prototipi di Hmc, fa sapere Ibm, lavorano con un'ampiezza di banda di 128 GigaByte al secondo (GB/s). In confronto, i dispositivi attualmente più avanzati si attestano a 12,8 GB/s. Secondo i dati forniti dall'azienda, l'Hmc richiede inoltre il 70% di energia in meno per il trasferimento dei dati, pur offrendo un piccolo "form factor", appena il 10% dell'ingombro di una memoria tradizionale.
Hmc potrà avere applicazioni dal networking su grande scala e high-performance computing, all'automazione industriale, fino ai prodotti di consumo.