Samsung ha presentato nuovi concept di memoria 3D pensati espressamente per l'AI. E per rafforzarsi nel nuovo mercato dell'hardware che deve supportarla.
Autore: Redazione ImpresaCity
Per ora si tratta più che altro di concept tecnologici, ma quello che Samsung Electronics ha presentato all'evento Future of Memory and Storage (FMS) 2026, in corso a Santa Clara, dimostra che la diffusione dell'intelligenza artificiale una svolta "epocale" di sicuro l'ha portata: una nuova concorrenza tra i grandi nomi - e Samsung è tra questi - che progettano memorie, acceleratori e processori. Le esigenze dell'AI, insomma, aguzzano l'ingegno dei progettisti della microlitografia, con impatti potenziali su equilibri di mercato che sembravano ormai consolidati.
Le novità concettuali - ossia non ancora tradotte in prodotti concreti - si chiamano zHBM e zNAND-O: sono due applicazioni della teoria delle memorie cosiddette 3D, in cui decine o centinaia di strati di silicio sovrapposti e uniti fra loro costituiscono forme di memoria che, se realizzate planarmente come al solito, sarebbero troppo grandi e troppo "lente" a causa del tempo che gli elettroni ci metterebbero ad attraversarle.
La denominazione zHBM anticipa un po' il senso della nuova tecnologia Samsung. HBM sta per High Bandwidth Memory, un tipo di memoria impilata verticalmente e collegata tramite connessioni che attraversano i singoli chip di RAM per accorciare il percorso dei dati verso il processore. La "z" della siglia immaginiamo rimandi ancora al classico asse verticale della geometria, sottolineando che zHBM prevede di collocare una memoria ad alte prestazioni direttamente sopra un acceleratore AI, per ridurre la distanza tra la memoria - e quindi i dati - e le componenti di computing AI. Secondo Samsung, un sistema basato su zHBM potrebbe offrire prestazioni pari a otto volte quelle delle memorie HBM classiche, e un'efficienza energetica triplicata.
Inoltre, Samsung indica la possibilità di usare zHBM per produrre componenti "customer-specific" personalizzati, in cui si inserisce microelettronica di proprietà (intellettuale) del cliente nello strato tra memoria e acceleratore AI. Un'opzione pensata non per gli utenti generici, ovviamente, ma per produttori di chip clienti di Samsung che vogliono realizzare soluzioni su misura.
Il secondo concetto presentato è zNAND-O: la sigla sta per "zNAND On devices" e rimanda all'uso di memorie flash basate sulla tecnologia V-NAND (sempre di Samsung) per scenari di AI su dispositivi periferici, dove contano soprattutto la densità di memoria, la bassa latenza e le prestazioni di input/output.
Le V-NAND sono un tipo di memoria flash che Samsung ha portato sul mercato nel lontano 2013 e che impila le celle di memoria verticalmente, invece di disporle una accanto all'altra su un unico piano come avveniva nella NAND planare tradizionale. Gli strati sovrapposti possono essere decine o centinaia (ma zNAND-O si ferma a quattro oppure otto) per aumentare la densità di memoria a parità di superficie. Farlo nell'altro modo più logico - ridurre le dimensioni di ogni singola cella planare - è diventato sempre più difficile anche con le moderne tecniche di microlitografia.
Negli annunci di Samsung non ci sono solo tecnologie ancora teoriche. La casa coreana ha presentato tra l'altro un sistema V-NAND che supera i 400 layer ed è ormai vicina alla fase industriale, più una roadmap dettagliata per le sue memorie per data center (sempre pensando all'AI). In tutto questo, Samsung punta chiaramente sulla sua capacità di coprire tutta la catena di sviluppo e produzione della microelettronica: dalla ideazione alle foundry, sino al packaging. Con la possibilità quindi di proporsi come interlocutore unico per le nuove necessità della memoria e dello storage per l'intelligenza artificiale.