Storage, le promesse della Phase Change Memory

Storage, le promesse della Phase Change Memory

Il centro di Ricerca IBM di Zurigo mette alla prova la tecnologia Phase Change Memory.Nuove prospettive per la gestione dei Big Data di domani

di: Redazione del 12/02/2016 13:18

Technology
 
Da quali tecnologie potrebbero essere gestiti i dati domani? Lo scenario è certo, affermano in IBM: i dati continueranno a esplodere con un trend inarrestabile e presto alcune soluzioni presenteranno limiti insormontabili. Ed è proprio su questo tema che si stanno interrogando e cimentando i ricercatori IBM e in particolare il team di Zurigo che segue l’area dello Storage.

Una delle frontiere tutte da esplorare è quella della Phase Change Memory (PCM), che viene indicata come la più promettente tecnologia di memoria non volatile. La PCM sfrutta il cambio di resistenza che si verifica nel materiale, una lega di vari elementi,  quando cambia dalla fase cristallina - che mostra una bassa resistenza – alla fase amorfa - che dimostra una resistenza elevata - per la memorizzazione dei bit dei dati. In una cella della PCM, dove viene depositato un materiale a cambiamento di fase tra un elettrodo superiore e uno inferiore, il cambiamento di fase può essere indotto in modo controllato applicando voltaggio o impulsi di corrente di potenze diverse. Questi  impulsi surriscaldano il materiale e, quando vengono raggiunte soglie di temperatura distinte,  provocano il cambiamento del materiale dalla fase cristallina a quella amorfa o viceversa.

Già nel 2011 i ricercatori di Zurigo erano riusciti a dimostrare che la PCM era in grado di archiviare in modo affidabile bit di dati multipli per cella per periodi di tempo prolungati. Un traguardo importante. Ma il lavoro ha continuato ad andare avanti anche perchè la prospettiva è quella di sviluppare applicazioni di memoria a basso costo, più veloci e durevoli per dispositivi di consumo, come nel campo della telefonia mobile, per  il cloud storage e per le applicazioni che richiedono prestazioni elevate del  mondo enterprise.

Questa tecnologia si presenta come una buona opportunità perchè è in grado di scrivere e recuperare i dati con una velocità 100 volte superiore rispetto alla tecnologia Flash e perchè offre capacità di storage elevate, senza il rischio di perdere  dati quando l'alimentazione è disinserita. A differenza della tecnologia  Flash, PCM è estremamente durevole e in grado di sopportare almeno 10 milioni di cicli di scrittura rispetto ai 30.000 dell'attuale Flash di classe enterprise o ai 3000 cicli di quella consumer.

Alcuni dei progetti di ricerca relativi all’evoluzione della PCM sono realizzati in collaborazione con il Binnig and Rohrer Nanotechnology Center, il centro gestito da IBM ed ETH Zurich che rientra in un progetto di partnership strategica nelle nanoscienze. Questo centro è dotato di un’infrastruttura all'avanguardia che comprende una grande camera bianca per la fabbricazione di micrometri e nanometri, laboratori isolati e ambienti con protezioni particolari per esperimenti altamente sensibili.

Nel video Alessandro Sorniotti del Centro di Ricerca di Zurigo illustra le aree su cui stanno lavorando per superare i limiti della tecnologia Phase Change Memory



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